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15臺(套)電子元件行業相關設備被列入首臺(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2019年版)
2020-01-02    來源:工業和信息化部裝備工業司  瀏覽次數:
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2019年12月31日,工業和信息化部發布關于印發《首臺(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2019年版)》的通告(工信部裝函(2019)428號)。自2020年1月1日起執行。其中,共計573臺(套)重大技術裝備列入該目錄,涉及電子元件行業相關的技術裝備有15臺(套),具體如下:



編號

產品名稱

單位

主要技術指標

)集成電路生產裝備

1

硅外延生產設備

晶圓尺寸≥300mm;工藝溫度:1100~1500;片內厚度均勻性≤2%;電阻率片內均勻性≤3%;表面無滑移線;適用于不同規格襯底上N型、P型硅材料的外延生長

2

介質刻蝕機

晶圓尺寸≥300mm;刻蝕能力≥40:1;線寬≤14nm,控制精度:±2nm

3

高密度等離子刻蝕機

晶圓尺寸≥300mm;刻蝕均勻性:±5%,線寬≤14nm,控制精度:±2nm;刻蝕材料為硅、金屬和化合物材料

4

光刻機

(1)掃描式:光源波長 193nm,分辨率(CD90nm,單機套刻(OVLSMO15nm;在 90nm 線 條情況下,焦深 DOF≥0.3μm(密集線)、DOF≥0.2μm(孤立線),6.9nm 線條均勻性(CDU≤10%; 滿足 200300mm 半導體圓片多種工藝光刻需求

(2)分步重復投影式:滿足 200300mm 導體圓片多種工藝光刻需求;線寬≤90nm

5

離子注入機

(1)中束流離子注入機:晶圓尺寸≤300mm;單片注入模式,硅片傳輸效率≥450pcs/h;注入均勻性≤0.5%;注入重復性≤0.5%;能量范圍:2900keV

(2)大束流離子注入機:晶圓尺寸≤300mm;單片注入模式,硅片傳輸效率≥450pcs/h;注入均勻性≤1%;注入重復性≤1%;能量范圍:20050keV

(3)高能離子注入機:晶圓尺寸≤300mm;單片注入模式,硅片傳輸效率≥450pcs/h;注入均勻性 ≤0.5%;注入重復性≤0.5%;能量范圍:21500keV

6

原子層沉積設備(ALD

薄膜每層厚度≤10nm;厚度控制精度≤0.2nm;用于加工各種半導體和集成電路

7

化學機械拋光機(CMP

晶圓尺寸:200300mm;uptime≥80%;銅拋光:表面均勻性≤5%,粗糙度≤5nm;介質拋光:表面均勻性≤5%,粗糙度≤5nm

8

勻膠顯影機

晶圓尺寸≥300mm;

(1)ArF TOK P6111;膜厚厚度:270nm;膜厚均勻性:3-Sigma,片內均勻性≤1.6nm;片間均勻 性≤0.9nm;批間均勻性≤0.9nm

(2)KrF BARCDUV 142;膜厚厚度:70nm、90nm;膜厚均勻性:3-Sigma,片內均勻性≤0.9nm;片間均勻性≤0.6m;批間均勻性≤0.6nm

(3)I-Line PRC7310;膜厚厚度:1210nm;膜厚均勻性:3-Sigma,片內均勻性≤2.7nm;片間均勻性≤2.7nm;批間均勻性≤2.7nm

)片式元件生產設備

9

電子陶瓷薄膜流延機

最高載帶傳送速度≥5000mm/min,最大涂膜寬度≥220mm;最高溫度≥120℃,溫控偏差:±4℃

10

多層陶瓷電容(MLCC)印刷機

膜卷最大可安裝直徑≥500mm;最大印刷區域≥400mm*400mm;印刷工作臺表面與網框底面的平行度≤10μm;印刷工作臺表面與印刷投的平行度≤30μm;最大生產效率≥15/分鐘

11

薄膜疊層機

疊片尺寸≥225mm*225mm;圖像對位精度:±5μm;傳送方式:卷對卷

)其他電子專用設備

12

全自動固化系統光纖高速拉絲裝備

拉絲速度:2800~3000m/min;可拉光棒直徑:150~180mm;塔高≥28m;實現1t涂料連續使用

13

大尺寸光纖預制棒沉積設備

(1)VAD工藝:VAD沉積速率≥16g/min

(2)OVD工藝:OVD沉積速率≥150g/min

14

高端材料用高溫高真空燒結爐

均溫區≥1000mm*2000mm,最高工作溫度≥2600℃;極限真空度≤1*10-4Pa

15

高處度低羥基石英玻璃沉積設備

沉積速率≥20g/min;燒結后玻璃化芯棒直徑≥300mm;金屬雜質≤0.1ppm;羥基含量≤1ppm


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